近日，由北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司和北京易聚律師事務(wù)所聯(lián)合代理的一件專利無(wú)效宣告請(qǐng)求結(jié)案。國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局作出第 563603 號(hào)無(wú)效審查決定，宣告江蘇多維科技有限公司擁有的第 201510005952.7 號(hào)“一種單芯片具有校準(zhǔn)/重置線圈的 Z 軸線性磁電阻傳感器”發(fā)明專利權(quán)全部無(wú)效。

　　專利法第九條第一款規(guī)定：同樣的發(fā)明創(chuàng)造只能授予一項(xiàng)專利權(quán)。但是，同一申請(qǐng)人同日對(duì)同樣的發(fā)明 創(chuàng)造既申請(qǐng)實(shí)用新型專利又申請(qǐng)發(fā)明專利，先獲得的實(shí)用新型專利權(quán)尚未終止，且申請(qǐng)人聲明放棄該實(shí)用新型專利權(quán)的，可以授予發(fā)明專利權(quán)。

　　對(duì)于發(fā)明或者實(shí)用新型，專利法第九條中所述的“同樣的發(fā)明創(chuàng)造”是指兩件或者兩件以上申請(qǐng)（或者專利）中存在的保護(hù)范圍相同的權(quán)利要求。

　　在判斷是否為同樣的發(fā)明創(chuàng)造時(shí)，應(yīng)當(dāng)將兩件發(fā)明或者實(shí)用新型專利申請(qǐng)或者專利的權(quán)利要求書(shū)的內(nèi)容進(jìn)行比較，而不是將權(quán)利要求書(shū)與專利申請(qǐng)或者專利文件的全部?jī)?nèi)容進(jìn)行比較。判斷時(shí)，如果一件專利申請(qǐng)或者專利的一項(xiàng)權(quán)利要求與另一件專利申請(qǐng)或者專利的某一項(xiàng)權(quán)利要求保護(hù)范圍相同，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為它們是同樣的發(fā)明創(chuàng)造。

　　本專利授權(quán)公告時(shí)的權(quán)利要求書(shū)與證據(jù) 1權(quán)利要求 1 分段對(duì)比如下：

　　本專利：“1.一種單芯片具有校準(zhǔn)/重置線圈的 Z 軸線性磁電阻傳感器，其特征在于，包括單芯片 Z 軸線性磁電阻傳感器，以及校準(zhǔn)線圈或/和重置線圈；

　　證據(jù)1：“1.一種單芯片具有校準(zhǔn)/重置線圈的 Z 軸線性磁電阻傳感器，其特征在于，包括單芯片 Z 軸線性磁電阻傳感器，以及校準(zhǔn)線圈或/和重置線圈；

　　本專利：所述單芯片 Z 軸線性磁電阻傳感器包括位于襯底上的軟磁通量集中器和磁電阻傳感單元陣列，所述軟磁通量集中器為長(zhǎng)條形，其長(zhǎng)軸沿 Y 方向，短軸沿 X 方向，所有所述磁電阻傳感單元為 TMR 傳感單元，并且被釘扎層磁化方向都沿 X 方向，其自由層磁化方向都沿 Y 方向，所述磁電阻傳感單元沿所述 Y 方向電連接成推磁電阻傳感單元串和挽磁電阻傳感單元串，并分別位于相對(duì)應(yīng)的所述軟磁通量集中器表面上方或下方的 Y 軸中心線的兩側(cè)，且距離所述 Y 軸中心線具有相同的距離，所述推磁電阻傳感單元串和所述挽磁電阻傳感單元串電連接成推挽式磁電阻傳感器，測(cè)量 Z 方向外磁場(chǎng)時(shí)，所述軟磁通量集中器將所述 Z 方向外磁場(chǎng)扭曲成具有分別平行和反平行于所述被釘扎層磁化方向且幅度相同的兩個(gè)磁場(chǎng)分量，并分別作用于所述推磁電阻傳感單元串和所述挽磁電阻傳感單元串；

　　證據(jù)1：所述單芯片 Z 軸線性磁電阻傳感器包括位于襯底上的軟磁通量集中器和磁電阻傳感單元陣列，所述軟磁通量集中器為長(zhǎng)條形，其長(zhǎng)軸沿 Y 方向，短軸沿 X 方向，所有所述磁電阻傳感單元為 TMR 傳感單元，并且被釘扎層磁化方向都沿 X 方向，其自由層磁化方向都沿 Y 方向，所述磁電阻傳感單元沿所述 Y 方向電連接成推磁電阻傳感單元串和挽磁電阻傳感單元串，并分別位于相對(duì)應(yīng)的所述軟磁通量集中器表面上方或下方的 Y 軸中心線的兩側(cè)，且距離所述 Y 軸中心線具有相同的距離，所述推磁電阻傳感單元串和所述挽磁電阻傳感單元串電連接成推挽式磁電阻傳感器，測(cè)量 Z 方向外磁場(chǎng)時(shí)，所述軟磁通量集中器將所述 Z 方向外磁場(chǎng)扭曲成具有分別平行和反平行于所述被釘扎層磁化方向且幅度相同的兩個(gè)磁場(chǎng)分量，并分別作用于所述推磁電阻傳感單元串和所述挽磁電阻傳感單元串；

　　本專利：所述校準(zhǔn)線圈為平面校準(zhǔn)線圈或三維校準(zhǔn)線圈，所述校準(zhǔn)線圈包含平行于所述推磁電阻傳感單元串和挽磁電阻傳感單元串的直導(dǎo)線，且分別在所述推磁電阻傳感單元串和挽磁電阻傳感單元串處產(chǎn)生具有強(qiáng)度相同，但方向分別平行和反平行于所述被釘扎層磁化方向的磁場(chǎng)分量的校準(zhǔn)磁場(chǎng)；

　　證據(jù)1：所述校準(zhǔn)線圈包含平行于所述推磁電阻傳感單元串和挽磁電阻傳感單元串的直導(dǎo)線，且分別在所述推磁電阻傳感單元串和挽磁電阻傳感單元串處產(chǎn)生具有強(qiáng)度相同，但方向分別平行和反平行于所述被釘扎層磁化方向的磁場(chǎng)分量的校準(zhǔn)磁場(chǎng)；

　　本專利：所述重置線圈為平面重置線圈或三維重置線圈，所述重置線圈包含平行于所述磁電阻傳感單元被釘扎層磁化方向的直導(dǎo)線，且在所有所述磁電阻傳感單元處均產(chǎn)生具有平行于自由層磁化方向的磁場(chǎng)分量的均勻重置磁場(chǎng)。

　　證據(jù)1：所述重置線圈包含平行于所述磁電阻傳感單元被釘扎層磁化方向的直導(dǎo)線，且在所有所述磁電阻傳感單元處均產(chǎn)生具有平行于自由層磁化方向的磁場(chǎng)分量的均勻重置磁場(chǎng)?！?/p>

　　由上可見(jiàn)，本專利權(quán)利要求 1 和證據(jù) 1 權(quán)利要求 1 的文字區(qū)別僅在于，本專利權(quán)利要求 1 多限定了“所述校準(zhǔn)線圈為平面校準(zhǔn)線圈或三維校準(zhǔn)線圈”、“所述重置線圈為平面重置線圈或三維重置線圈”，其他特征均相同。

　　本專利要解決的技術(shù)問(wèn)題是，在單芯片 Z 軸線性磁電阻傳感器進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，測(cè)試用外加磁場(chǎng)設(shè)置不方便、不準(zhǔn)確，為此，本專利在上述單芯片 Z 軸線性磁電阻傳感器的芯片上，引入校準(zhǔn)線圈或/和重置線圈。本專利權(quán)利要求 1 上述爭(zhēng)議特征分別限定了“校準(zhǔn)線圈”和“重置線圈”的“平面”、“三維”布置方式下線圈呈現(xiàn)的形態(tài)，其中線圈的“平面”、“三維”的布置方式是該領(lǐng)域中固有的、必然的布置方式,也即，校準(zhǔn)線圈和重置線圈必然體現(xiàn)為“平面”或“三維”的布置方式。如前所述，鑒于線圈的“平面”、“三維”的布置方式是該領(lǐng)域中固有的、必然的布置方式，證據(jù) 1 權(quán)利要求 1 中校準(zhǔn)線圈和重置線圈也必然體現(xiàn)為“平面”、“三維”的布置方式。本專利權(quán)利要求 1 與證據(jù) 1 權(quán)利要求 1 屬于同樣的發(fā)明創(chuàng)造，保護(hù)范圍相同，本專利權(quán)利要求 1 不符合專利法第九條第一款的規(guī)定。